ASML/台積電2nm確定用!NVIDIA帶來晶片光刻技術大飛躍

3月21日,NVIDIA春季GTC技術大會召開。作為NVIDIA炫技的主要舞臺,新東西可謂眼花繚亂。

其中值得關注的一項是,NVIDIA宣佈推出cuLitho軟體加速庫,可以將計算光刻的用時提速40倍。

Source:NVIDIA

Source:NVIDIA

所謂計算光刻就是為晶片生產製作光掩模的技術,掩膜是一種平面透明或半透明的光學元件,上面有晶片加工所需的圖案,按照是否需要曝光將圖案轉移到光刻膠層上。光刻加工過程開始後,通過控制曝光機的曝光和開關操作,可以將光束根據掩膜上的圖案進行分割和定位,使得光束只照射到需要曝光的區域,從而將晶片上的圖案轉移到光刻膠層上,實施晶片光刻。

因為每種晶片都要經歷多次曝光,所以光刻中使用的掩膜數量不盡相同。NVIDIA H100(台積電4N工藝,800億電晶體)需要89張掩膜,Intel的14nm CPU需要50多張掩膜。

此前「精雕細琢」的計算光刻依賴CPU伺服器集群,現在NVIDIA表示,500套DGX H100(包含4000顆Hopper GPU)可完成與4萬顆CPU運算伺服器相同的工作量,但速度快40倍,功耗低9倍。

這意味著,GPU加速後,生產光掩模的計算光刻工作用時可以從幾周減少到八小時。

Source:NVIDIA

Source:NVIDIA

黃仁勳透露,NVIDIA已經和ASML(荷蘭阿斯麥)、台積電以及新思科技簽署技術合作,新思甚至已經將該技術集成到其EDA工具中,將服務2nm甚至更高精度的製程。

NVIDIA認為,新技術可以實現更高的晶片密度和產量,按照更好的設計規則以及藉助人工智慧驅動光刻行業前進。

按照NVIDIA預估,未來幾年高NA EUV曝光機應用後,掩膜製作的計算資料量將提升10倍以上,目前cuLitho軟體加速庫已經支持高NA EUV光刻可能用到的曲線掩膜、亞原子光致抗蝕劑掩膜等製造。(文:快科技)

相關文章

ASML科普,EUV曝光機的奇蹟之路

ASML科普,EUV曝光機的奇蹟之路

EUV 的故事始於 1980 年代中期的日本,當時,在 70 年代俄羅斯完成的多層鏡研究的基礎上,Hiroo Kinoshita 投影了第一...

武漢弘芯半導體,蔣尚義帶來曝光機

武漢弘芯半導體,蔣尚義帶來曝光機

為什麼僅僅時隔一個月,千辛萬苦求來的寶貝「曝光機」(光刻機),就被抵押出去換錢了?這讓晶片公司「武漢弘芯半導體」(以下簡稱「弘芯」)的管理層...

曝光機大敗局

曝光機大敗局

作者:劉芮、鄧宇 支持:遠川研究所科技組 在晶片領域,有一樣叫曝光機的設備,不是印鈔機,但卻比印鈔機還金貴。 歷數全球,也只有荷蘭一家叫做艾...

3nm 晶片製程,備戰進入倒計時

3nm 晶片製程,備戰進入倒計時

上週,業內最受關注的新聞,非三星計劃在美國德克薩斯州奧斯汀建設一個價值100億美元的晶圓廠莫屬了。這被認為是其追趕台積電發展步伐的又一舉措。...