三星電子官方訊息，近期三星已成功開發出其首款採用12奈米（nm）級工藝技術打造的16Gb DDR5 DRAM，並與AMD一起完成了兼容性方面的產品評估。新款DRAM將於2023年開始量產，三星表示希望以優異的性能和更高的能效，推動下一代計算、資料中心和AI應用的發展。
據悉，這一技術突破是通過使用一種新的高介電（high-k）材料來增加電池電容，以及改進關鍵電路特性的專利設計技術而實現的。
結合先進的多層極紫外（EUV）光刻技術，新款DRAM擁有三星最高的Die密度（Die density），可使晶圓生產率提高20%。
基於DDR5最新標準，三星12nm級DRAM將解鎖高達7.2千兆每秒（Gbps）的速度，這意味著一秒鐘內處理兩部30GB的超高畫質（UHD）電影。
新款DRAM同時擁有卓越的速度與更高的能效。與上一代三星DRAM產品相比，12nm級DRAM的功耗降低約23%。隨著2023年新款DRAM量產，三星計劃將這一基於先進12nm級工藝技術的DRAM產品擴展到更廣泛的市場領域，同時繼續與行業夥伴合作，推動下一代計算的快速發展。
DRAM大廠先進製程競賽繼續
2022年由於疫情、高通貨膨脹、消費電子市場低迷等多重因素影響，儲存行業邁入下行週期，儲存價格持續下探，廠商營收不及預期，紛紛減產應對。逆境之下，儲存廠商「蟄伏」蓄能，通過先進技術持續提升競爭實力。
DRAM領域，以三星、美光等為代表的大廠先進製程競賽正不斷打響。
三星在今年10月召開的Samsung Foundry Forum 2022活動上，對外公佈了DRAM技術路線圖。按照規劃，三星將於2023年進入1bnm工藝階段，即第五代10nm級別DRAM產品，晶片容量將達到 24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度將在6.4-7.2Gbp。這意味著除了上述16Gb DDR5 DRAM，未來三星將有更多先進製程DRAM產品亮相。
美光方面，今年11月初宣佈採用全球先進技術節點的1β DRAM（第五代10nm級別DRAM產品）產品已開始向部分智慧手機制造商和晶片平臺合作伙伴送樣以進行驗證，並做好了量產準備。據悉，美光1β DRAM於今年11月中旬率先在日本工廠量產，之後也會在台灣量產。除此之外，美光還計劃在未來一年在嵌入式、資料中心、客戶端、消費類產品、工業和汽車等領域量產1β節點，推出包括顯示記憶體和高頻寬記憶體等產品。
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